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阻抗分析儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀是一種用于測(cè)量介質(zhì)材料介電常數(shù)和介質(zhì)損耗的儀器。在電介質(zhì)材料的應(yīng)用中，介電常數(shù)和介質(zhì)損耗是兩個(gè)非常重要的參數(shù)，它們能夠反映材料的介電性能和電性能。因此，介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀在材料科學(xué)、電子工程、通信工程等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀阻抗儀概述GDAT-S是具有多種功能和更高測(cè)試頻率的新型阻抗分析儀，體積小，緊湊便攜，便于上架使用。本系列儀器基本精度為0.05%，測(cè)試頻率87高1MHz及10mHz的分辨率，4.3寸的LCD屏幕配合中英文操作界面，操作方便簡(jiǎn)潔。集成了變壓器測(cè)試功能、平衡測(cè)試功能,提高了測(cè)試效率。儀器提供了豐富的接口，能滿足自動(dòng)分選測(cè)試，數(shù)據(jù)傳輸和保存的各種要求。

絕緣油介質(zhì)與體積電阻率測(cè)試儀概述絕緣油介質(zhì)損耗及電阻率測(cè)試儀是依據(jù)GB/T5654-2007《液體絕緣材料 相對(duì)電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測(cè)量》設(shè)計(jì)制造的高精密一體化檢測(cè)儀器。

導(dǎo)熱硅脂工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀直徑為10cm或更大些，需要測(cè)低損耗因數(shù)值時(shí)，很重要的一點(diǎn)是導(dǎo)線串聯(lián)電阻引入損耗要盡可能地小。 厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點(diǎn)間厚度的變化，對(duì)1%的精確度來(lái)講，1.5mm的厚度就足夠了。

工頻介電常數(shù)測(cè)試儀電橋采用接觸電阻小，機(jī)械壽命長(zhǎng)的十進(jìn)開(kāi)關(guān)，保證測(cè)量的穩(wěn)定性 儀器具有雙屏蔽，能有效防止外部電磁場(chǎng)的干擾。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 測(cè)量范圍及誤差 本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對(duì)濕度為30%-80%條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。 在Cn=100 pF R4=3183.2（Ω）時(shí) 測(cè)量項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)量誤差 電容量Cx40pF—20000pF±0.5% Cx±2pF 介損損耗tgδ0-1±1.5% tgδx±0.0001 在Cn=100 pF R4=318.3（Ω

諧振法測(cè)試儀性能特點(diǎn)： 平板電容器 極片尺寸：φ25.4mm\\φ50mm 極片間距可調(diào)范圍和分辨率：≥10mm，±0.01mm 園筒電容器 電容量線性：0.33pF / mm±0.05 pF 長(zhǎng)度可調(diào)范圍和分辨率：≥0～20mm，±0.01mm 夾具插頭間距：25mm±1mm 夾角損耗角正切值：≤4×10－4（1MHz時(shí)）

工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀符合GB1409、GB5654 及GB/T1693, ASTM D150-1998（2004） 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常 數(shù)的試驗(yàn)方法其采用了西林電橋的經(jīng)典線路，內(nèi)附0-2500的數(shù)顯高壓電源及 100PF標(biāo)準(zhǔn)電容器，并可按用戶要求擴(kuò)裝外接標(biāo)準(zhǔn)電容線路。

高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT儀器的技術(shù)指標(biāo) Q值測(cè)量范圍：2～1023 Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔； 電感測(cè)量范圍：14.5nH～8.14H 自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能 電容直接測(cè)量范圍：1～460pF 主電容調(diào)節(jié)范圍： 30～500pF